崗位職責
1.負責半導體材料干法刻蝕，介質膜沉積等工藝；
2.負責刻蝕物料承認及設備驗收；
3.負責刻蝕、介質膜沉積工藝的開發、優化及異常處理；
4.負責相關設備維護及故障處理；
5.協助新產品開發和新工藝導入；
6.負責技術員培訓及考核；
7.按時提交每日工作日報，周報，月報.
任職要求
1.碩士學歷，化學/物理/光電子/微電子/電子信息/材料相關專業畢業；
2.3年以上相關工作經驗，熟悉ICP/IBE/RIE/ PECVD設備操作；
3.熟悉半導體或者光電子器件結構優先；
4.具備良好的團隊合作精神，能吃苦耐勞、適應一定強度的工作壓力。
